TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO=FET

ransistor de efeito de campo

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FET de alta-potência canal-N

FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal caracteristica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificarfrequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.

Índice  [esconder] 1 Composição 2 Polarização 3 Categorias 4 História 5 Ligações externas 6 Referências

[editar]Composição

Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro,que são substâncias ´´dopantes`` (isto é,que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são os mais utilizados atualmente,sendo que transistores de germãnio são usados somente para o controle de grandes potências.

[editar]Polarização

Um FET para uso geral apresenta três terminais:comporta,supridouro e dreno,que permitem seis formas de polarização,sendo três as mais usadas:supridouro comum (supridouro ligado à entrada e saida simultaneamente),comporta comum (comporta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente).

[editar]Categorias

O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:

• MOSFET tipo Intensificação;
• MOSFET tipo Depleção.

Corte em seção de um MOSFET tipo-n

Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.

[editar]História

Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e porOskar Heil em 1934.
Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias deWilliam Shockley sobre o efeito de campo.^[1]

[editar]Ligações externas

• Transistor datasheet
• O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)